[发明专利]制备氮化铝基板的方法无效
| 申请号： | 200710161119.7 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101462169A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 黄续镡;周钟霖 | 申请（专利权）人： | 环宇真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F7/04 | 分类号： | B22F7/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制备氮化铝基板的方法，包含下列各步骤：a)先将多数氮化铝(AlN)颗粒均匀地覆设于一铝基板表面；b)将该铝基板送入一真空炉内，再对该真空炉内通入氨气(NH3)；c)对该真空炉内的该铝基板进行加热，即可自该真空炉内得到一氮化铝基板；该真空炉的设定条件如下：炉内温度范围为摄氏400度～摄氏580度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 铝基板 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备氮化铝基板的方法，包含下列各步骤：a)先将多数氮化铝(AlN)颗粒均匀地覆设于一铝基板表面；b)将该铝基板送入一真空炉内，再对该真空炉内通入氨气(NH3)；以及c)对该真空炉内的该铝基板进行加热，即可自该真空炉内得到一氮化铝基板；该真空炉的设定条件如下：炉内温度范围为摄氏400度～摄氏580度。
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