[发明专利]高灵敏度光传感元件和使用该元件的光传感装置有效
| 申请号： | 200710159739.7 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101221994A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 田井光春;宮泽敏夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用平面工艺在绝缘膜基板上同时形成高灵敏度、低噪声的光传感元件和多晶硅TFT的内置光传感器的图像显示装置。在用多晶硅膜形成了光传感元件的第一电极(11)和第二电极(12)之后，在其上层用非晶形硅膜形成光传感元件的受光层(13)。这时，同时形成多晶硅TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 传感 元件 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成在绝缘性基板上的光传感元件，其特征在于：在至少用第一半导体层制成的第一电极和第二电极之间具有用第二半导体层制成的受光层，上述第一半导体层和上述第二半导体层的相状态不同，或者上述第一半导体层和上述第二半导体层的半导体材料不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
