[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统无效

专利信息
申请号: 200710153186.4 申请日: 2007-09-28
公开(公告)号: CN101169939A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 安东尼·阿扬 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/73
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统。其中在垂直介质中,将形成为多晶铁磁层的、包含铁、钴和/或镍的晶化铁磁层用作反平行软衬层(APS-SUL)结构的一部分,以减少中间层的厚度。软衬层结构由非磁性间隔层组成,该非磁性间隔层的厚度被调整为在两个铁磁层之间形成有效的反平行耦合。在由非晶铁磁层形成的下层与由非晶铁磁层和多晶铁磁层形成的上层之间的反平行方向上形成磁耦合。剩磁中软衬层的有效磁化强度为零。多晶铁磁层的厚度优选为1nm至20nm。中间层(例如钌层)直接形成在磁性多晶软衬层上,厚约10nm至20nm。记录磁层和保护层形成在中间层上。本发明能够在降低噪声的同时获得更高的可写性。
搜索关键词: 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 以及 系统
【主权项】:
1.一种垂直磁记录介质,包括:软衬层;中间层,形成在所述软衬层上;以及记录层,形成在所述中间层上,所述软衬层包括:第一铁磁层,具有非晶结构;第二铁磁层,具有非晶结构,形成在所述第一铁磁层上;以及第三铁磁层,具有多晶结构,形成在所述第二铁磁层与所述中间层之间,所述第一铁磁层和由所述第二铁磁层、第三铁磁层组成的结构在反平行方向上被磁化。
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