[发明专利]氮化物半导体激光器件无效
| 申请号： | 200710153168.6 | 申请日： | 2005-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101132113A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 津田有三;花冈大介;石田真也 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发光；以及管座(14)，其具有所述氮化物半导体激光元件(11)，其中所述氮化物半导体激光元件(11)密封在罩(15)之内，该罩连接到所述管座(14)，且所述罩(15)中的气氛具有最高-30℃的露点和小于100ppm的氧浓度。
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