[发明专利]非易失性存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器的制造方法，包括：于基底上依序形成穿隧介电层、第一导体层与第一掩模层；于第一掩模层、第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；移除第一掩模层；移除源极区域与漏极区域的第一导体层与穿隧介电层；于源极区域与漏极区域的基底中形成第一掺杂区；于基底上形成第二导体层；于基底上形成栅间介电层；移除源极区域、漏极区域与部分选择栅极区域的栅间介电层；于基底上形成第三导体层；将第三导体层、第二导体层、栅间介电层与第一导体层图案化。

主权项

1. 一种非易失性存储器的制造方法，包括：在一基底上依序形成一穿隧介电层、一第一导体层与一第一掩模层，其中该基底具有一源极区域、一漏极区域与一选择栅极区域；在该第一掩模层、该第一导体层、该穿隧介电层与该基底中形成一隔离结构，该隔离结构的延伸方向与该源极区域、该漏极区域以及该选择栅极区域的延伸方向交错；移除该第一掩模层；移除该源极区域与该漏极区域的该第一导体层与该穿隧介电层；在该源极区域与该漏极区域的该基底中形成一第一掺杂区；在该基底上形成一第二导体层；在该基底上形成一栅间介电层；移除该源极区域、该漏极区域与部分该选择栅极区域的该栅间介电层；在该基底上形成一第三导体层；以及图案化该第三导体层、该第二导体层、该栅间介电层与该第一导体层，以形成多个堆迭栅极结构，同时在该源极区域形成一源极线，在该漏极区域形成多个位线接触窗，以及在该选择栅极区域形成一选择栅极。