[发明专利]相变化内存无效
| 申请号： | 200710152824.0 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101369628A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于一种相变化内存。该相变化内存包含第一电极及第二电极。第一相变化层与该第一电极电性连结。第二相变化层与该第二电极电性连结。导电桥接形成于该第一及第二相变化层之间并与该第一及第二相变化层分别电性连结。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 内存 | ||
【主权项】：
1.一种相变化内存，包括：第一电极及第二电极；第一相变化层与该第一电极电性连结；第二相变化层与该第二电极电性连结；以及导电桥接形成于该第一及第二相变化层之间并与该第一及第二相变化层分别电性连结。
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