[发明专利]用于修复光掩模的桥接的方法无效
申请号: | 200710149700.7 | 申请日: | 2007-09-13 |
公开(公告)号: | CN101211108A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 河泰中 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云;许向华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种用于修复光掩模中的桥接的方法,该方法包括:在透明基板上布置相位偏移层图案及光屏蔽层图案,其中该相位偏移层图案布置在该透明基板及该光屏蔽层图案之间;该光掩模的整个表面上形成抗蚀剂层,其中该光掩模具有在相位偏移层图案的相邻部分之间造成桥接的缺陷图案;通过蚀刻该抗蚀剂层来露出该缺陷图案;以及移除该露出的缺陷图案。 | ||
搜索关键词: | 用于 修复 光掩模 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于修复光掩模中的桥接的方法,该光掩模具有在相位偏移层图案的相邻部分之间造成桥接的缺陷图案,该方法包括以下步骤:在透明基板上布置相位偏移层图案及光屏蔽层图案,其中所述相位偏移层图案布置在所述光屏蔽层图案和所述透明基板之间;在所述光掩模的整个表面上形成抗蚀剂层;通过蚀刻所述抗蚀剂层来露出所述缺陷图案;以及移除所述露出的缺陷图案。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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