[发明专利]含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物有效
| 申请号： | 200710147183.X | 申请日： | 2002-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101134930A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 威廉·A·沃伊特恰克;戴维·伯恩哈德;法蒂玛·Ma·塞约;朗·源 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C09K13/06;C23F1/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨青;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体晶片清洗剂，含有1－21重量％氟化物源，20－55重量％有机胺，0.5－40重量％含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23－50重量％水，以及0－21重量％金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 特异 防腐剂 用于 清洗 半导体 衬底 无机 残余物 水性 组合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片清洗剂，包括(i)氟化物源，(ii)至少一种有机胺，(iii)含氮羧酸或亚胺，(iv)水，和任选至少一种金属螯合剂。
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