[发明专利]含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物

权利要求书

1.一种半导体晶片清洗剂，包括(i)氟化物源，(ii)至少一种有机胺，(iii)含氮羧酸或亚胺，(iv)水，和任选至少一种金属螯合剂。

2.权利要求1的半导体晶片清洗剂，以下面所示的重量百分比含有下面的成分，其重量百分比基于这些成分的总重量：

氟化物源    1-21％

有机胺      20-55％

选自含氮羧酸和亚胺的含氮成分0.5-40％

水          23-50％

金属螯合剂  0-21％

总计        100％。

3.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的氟化物源包括选自下列的氟化物种类：氟化铵，氟化铵衍生物及其组合。

4.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的有机胺包括选自下列的胺：

二乙二醇胺，

甲基二乙醇胺，

五甲基二乙撑三胺，

三乙醇胺，和

三乙撑二胺。

5.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的含氮成分包括选自下列的物质：

亚氨基二乙酸；

甘氨酸；

次氮基三乙酸；和

1，1，3，3-四甲基胍。

6.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其含有选自下列的至少一种金属螯合剂：

乙酰乙酰胺，

氨基甲酸铵，

吡咯烷二硫代氨基甲酸铵，

丙二酸二甲酯，

乙酰乙酸甲酯，

N-甲基乙酰乙酰胺，

2，4-戊二酮，

硫代苯甲酸四甲基铵，

三氟乙酸四甲基铵，和

四甲基秋兰姆二硫化物。

7.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的氟化物源包括选自下列的物质：

氟化铵，

氟化三乙醇铵，

氟化二乙二醇铵，

氟化四甲基铵，和

三乙胺三(氟化氢)。

8.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的有机胺包括选自下列的胺：

二乙二醇胺，

甲基二乙醇胺，

五甲基二乙撑三胺，

三乙醇胺，

三乙撑二胺，

六甲撑四胺，

3，3-亚氨基双(N，N-二甲基丙胺)，和

单乙醇胺。

9.权利要求1的半导体晶片清洗剂，其中所述的含氮成分包括选自下列的物质：

亚氨基二乙酸，

甘氨酸，

次氮基三乙酸，

1，1，3，3-四甲基胍，

CH₃C(＝NCH₂CH₂OH)CH₂C(O)N(CH₃)₂，

CH₃C(＝NCH₂CH₂OCH₂CH₂OH)CH₂C(O)N(CH₃)₂，

CH₃C(＝NH)CH₂C(O)CH₃，

(CH₃CH₂)₂NC(＝NH)N(CH₃CH₂)₂，

HOOCCH₂N(CH₃)₂，和

HOOCCH₂N(CH₃)CH₂COOH。