[发明专利]掩模的制造方法无效
| 申请号： | 200710142661.8 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101281360A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈志明;曾雅萍;何铭涛 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩模的制造方法。该方法包括下列步骤：提供一基板，该基板具有位于该基板上方的第一衰减(attenuating)层以及位于该第一衰减层上的第一图像层；在写入模式下使用第一辐射能量对该第一图像层进行第一曝光步骤；对该第一衰减层进行第一蚀刻步骤；对该基板进行第二蚀刻步骤；在该第一衰减层以及该基板上形成第二图像层；使用一光线能量以及一掩模对该第二图像层进行第二曝光步骤；以及在该第二曝光步骤之后，对该第一衰减层进行第三蚀刻步骤。通过本发明，在扫描模式下的第二曝光步骤可以达到分辨率要求并降低第二曝光步骤的时间与制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种掩模的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板具有位于该基板上方的第一衰减层以及位于该第一衰减层上的第一图像层；在写入模式下使用第一辐射能量对该第一图像层进行第一曝光步骤；对该第一衰减层进行第一蚀刻步骤；对该基板进行第二蚀刻步骤；在该第一衰减层以及该基板上形成第二图像层；使用一光线能量以及一掩模对该第二图像层进行第二曝光步骤；以及在该第二曝光步骤之后，对该第一衰减层进行第三蚀刻步骤。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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