[发明专利]埋入波导型受光元件

摘要

本发明提供一种埋入到Fe掺杂绝缘体层中的埋入波导型受光元件，使该受光元件的泄漏电流减少。所述埋入波导型受光元件具有：n－金属包层(28)，其配设于Fe－InP衬底(24)上；波导(16a)，其配设于该n－金属包层(28)的一部分上、并从Fe－InP衬底(24)侧顺次以脊状层叠有：n－光引导层(30)、具有和所述n型金属包层(28)相同或更高的折射率同时具有比所述n型光引导层(30)的杂质浓度更低的1×10¹⁷cm^－3以下的杂质浓度或者无掺杂的i－光引导层(31)、比该i－光引导层(31)折射率更高的光吸收层(32)、p－光引导层(34)、以及p－金属包层(36)；封闭层，其配设于Fe－InP衬底(24)上且埋设波导16a的侧壁。

主权项

1.一种埋入波导型受光元件，其特征在于，具有：半导体衬底；设置在该半导体衬底上的n型金属包层；波导层，设置在所述n型金属包层的一部分上，并从半导体衬底侧开始，以脊状顺次层叠有：n型光引导层；具有和所述n型金属包层相同或更高的折射率同时具有比所述n型光引导层的杂质浓度更低的1×1017cm-3以下的杂质浓度或者无掺杂的第一半导体层；比所述第一半导体层折射率更高的光吸收层；p型光引导层；以及p型金属包层；以及Fe掺杂绝缘体层，设置在所述半导体衬底上且埋设所述波导层侧壁。