[发明专利]薄膜硅太阳能电池中的纳米线

摘要

在有些实施方案中，本发明涉及包含硅(Si)纳米线101为活性PV元件的光伏(PV)器件100、200和1400，在其中，这类器件一般都是薄膜Si太阳能电池。这类太阳能电池一般都具有p－i－n型并能制成前面和/或背面(即上和/或下)照明的。此外，本发明的目标还在于制造和应用这类器件的方法以及使用这类器件的体系和模块(例如，太阳能电池板)。

主权项

1.包含下列元件的光伏器件：a)以基本垂直的取向沉积在基底上的许多Si纳米线，该Si纳米线具有第一类掺杂；b)共形地沉积在许多Si纳米线上的无定形本征硅的第一共形Si层，使第一共形Si层有效地吸收大部分入射到光伏器件上的光；c)共形地沉积在第一共形Si层上的第二共形Si层，该第二共形Si层具有第二类掺杂，从而形成电荷分离结；d)沉积在第二共形Si层上的导电材料层；和e)可供连接该器件与外电路操作的上、下接触，其中下接触与许多纳米线电接触，而上接触与第二共形Si层电接触。