[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、其制造方法和显示装置无效
| 申请号： | 200710140718.0 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101123276A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 永田一志;远藤厚志;由良信介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可靠性高、性能稳定的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。本发明的薄膜晶体管阵列基板具备：形成在绝缘基板(1)上并具有预定的图案形状的多晶硅层(2)；设置在绝缘基板(1)和多晶硅层(2)的表面上、表面成为与多晶硅层(2)的表面相同的抛光面的第1栅极绝缘膜(31)；覆盖着多晶硅层(2)和第1栅极绝缘膜(31)而形成的第2栅极绝缘膜(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其具备：形成在基板上并具有预定的图案形状的多晶硅层；设置在上述基板和上述多晶硅层的表面上、具有与上述多晶硅层的表面相同的抛光面的表面的第1栅极绝缘膜；覆盖着上述多晶硅层和上述第1栅极绝缘膜而形成的第2栅极绝缘膜。
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