[发明专利]具有热绝缘层的薄膜相变化单元及其制造方法

摘要

本发明公开一种存储元件，包括顶侧的第一电极、具有顶侧的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的绝缘构件。此绝缘构件在第一与第二电极之间、接近第一电极的顶侧与第二电极的顶侧处，具有一定厚度。薄膜导桥横跨了绝缘构件，并在第一与第二电极之间、横跨绝缘构件处定义了电极间路径。一个由此存储单元所构成的阵列也被提供。此薄膜导桥包括相变化材料的有源层在第一端其具有至少两固态相，以及热隔离覆盖层材料层在此存储材料之上，其中所述热绝缘材料覆盖层具有低于其上的电绝缘材料层的导热性。

主权项

1.一种存储元件，包括：具有上表面的第一电极；具有上表面的第二电极；绝缘构件，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述绝缘构件具有一定厚度位于所述第一电极与所述第二电极之间，靠近所述第一电极的所述上表面与所述第二电极的所述上表面；导桥，其横跨所述绝缘构件，所述导桥具有第一侧以及第二侧，并以所述第一侧接触所述第一与第二电极的所述上表面，且在横跨所述绝缘构件的所述第一电极与所述第二电极之间定义电极间路径，所述电极间路径具有由所述绝缘构件宽度所定义的路径长度，其中所述导桥在所述第一侧包括存储材料的有源层，其具有至少两个固态相，以及覆盖在所述存储材料之上的热绝缘材料覆盖层；以及电绝缘材料层，位于所述热绝缘材料覆盖层之上，其中所述热绝缘材料覆盖层导热性低于所述电绝缘材料层。