[发明专利]降低场效应管中漏极延迟和栅极延迟的体触点结构和方法无效
| 申请号： | 200710123241.5 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101097950A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·吉恩·尼克尔;约翰·S·魏 | 申请（专利权）人： | 安华高科技无线IP（新加坡）私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/085 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场效应管，形成于衬底上，并包括衬底上方形成的半导体沟道区域和沟道区域上形成的金属源极区域。金属漏极区域形成于沟道区域上，金属栅极区域在沟道区域上形成于源极区域与漏极区域之间。第一金属体触点区域形成为与漏极区域相邻并穿过沟道区域延伸到接触衬底。该场效应管还可以包括第二金属体触点区域，第二金属体触点区域形成为与源极区域相邻并穿过沟道区域延伸到接触衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 场效应 管中漏极 延迟 栅极 触点 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成于衬底上的场效应管，所述场效应管包括：半导体沟道区域，形成于所述衬底上；金属源极区域，形成于所述沟道区域上；金属漏极区域，形成于所述沟道区域上；金属栅极区域，在所述沟道区域上形成于所述源极区域与所述漏极区域之间；以及第一金属体触点区域，形成为与所述漏极区域相邻并穿过所述沟道区域延伸到与所述衬底接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安华高科技无线IP（新加坡）私人有限公司，未经安华高科技无线IP（新加坡）私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710123241.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
