[发明专利]一种利用金属层缩小π位相偏移光刻特征尺寸的方法有效
| 申请号： | 200710121243.0 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101126898A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 董小春;史立芳;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种利用金属层缩小π位相偏移光刻特征尺寸的方法：依据PDMS的折射率计算产生π位相光程差需要的深度H；制作浮雕深度为H的高陡直度结构；将PDMS倾倒于高陡直度结构表面，在30－90℃的环境中固化，冷却后，剥离已经固化的PDMS膜，形成π位相相移光刻模板；将基底表面涂覆光刻胶，并在光刻胶表面蒸镀金属层；将π位相相移光刻模板的图形面与基底表面的金属层紧密贴合；采用TM偏振的偏振光垂直照射PDMS材质的π位相相移光刻模板，进行曝光；然后掀掉PDMS模板，并去掉抗蚀剂表面的金属层；对抗蚀剂进行显影，最后形成需要的光刻线条。本发明采用金属层对从π位相突变结构出射的光场进行二次调制，将出射的线条宽度缩小为原来的1/2，为制备亚百纳米的结构提供了很好的技术途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 金属 缩小 位相 偏移 光刻 特征 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用金属层缩小π位相偏移光刻特征尺寸的方法，包括以下步骤：(1)依据PDMS的折射率计算产生π位相光程差需要的深度H；(2)制作浮雕深度为H的高陡直度结构；(3)将PDMS倾倒于高陡直度结构表面，并在30-90℃的环境中固化，取出冷却后，剥离已经固化的PDMS膜，形成π位相相移光刻模板；(4)将基底表面涂覆光刻胶，并在光刻胶表面蒸镀金属层；(5)将π位相相移光刻模板的图形面与基底表面的金属层紧密贴合；(6)采用TM偏振的偏振光垂直照射PDMS材质的π位相相移光刻模板，进行曝光；(7)曝光完成后，掀掉PDMS模板，并去掉抗蚀剂表面的金属层；(8)对抗蚀剂进行显影，最后形成需要的光刻线条。
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