[发明专利]采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法

摘要

一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，包括：在衬底上依次外延生长N型接触层、有源区和P型接触层；刻蚀，将器件隔离；在P型接触层上制作ITO光学膜；在ITO光学膜上制作光学高反膜，部分区域裸露；在光学高反膜上和裸露的ITO膜区域制作金属膜，构成器件的P电极；将绝缘的衬底去除，裸露出氮化镓N型接触层；在氮化镓N型接触层表面制作ITO导电光学减反膜；对ITO导电光学减反膜进行表面粗化处理；在ITO导电光学减反膜上制作金属电极；在芯片表面沉积介质膜，以进行表面钝化保护；将金属电极区域的介质膜去除，进行压焊封装，完成器件的制作。

主权项

1、一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用金属化学有机气相沉积方法在衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层、多量子阱有源区和氮化镓P型接触层；步骤2：采用感应耦合等离子体、电子回旋共振、反应离子刻蚀干法刻蚀技术进行器件隔离；步骤3：在氮化镓P型接触层上采用电子束蒸发技术制作ITO光学膜；步骤4：采用离子束溅射技术在ITO光学膜上制作一层光学高反膜，高反膜采用网状结构，即ITO光学膜部分区域被光学高反膜覆盖，部分区域裸露，该结构通过光刻剥离技术得到；步骤5：采用热蒸发、电子束蒸发技术在光学高反膜上和裸露的ITO膜区域制作一层金属膜，用作二次反射镜和键合层，该ITO光学膜、光学高反膜与金属膜构成器件的P电极；步骤6：P电极制作完成后与硅、铜高热导率衬底键合；步骤7：采用激光剥离、湿法腐蚀技术将绝缘的衬底去除，裸露出氮化镓N型接触层；步骤8：采用电子束蒸发技术在氮化镓N型接触层表面制作ITO导电光学减反膜；步骤9：采用湿法腐蚀技术对ITO导电光学减反膜进行表面粗化处理；步骤10：在ITO导电光学减反膜上制作金属电极；步骤11：采用等离子增强化学气相沉积技术在芯片表面沉积介质膜，以进行表面钝化保护；步骤12：将金属电极区域的介质膜去除，进行压焊封装，完成器件的制作。