[发明专利]MEMS电磁继电器有效
申请号: | 200710119273.8 | 申请日: | 2007-07-19 |
公开(公告)号: | CN101159202A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 尤政;李慧娟;张高飞;杨建中 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01H51/01 | 分类号: | H01H51/01;H01H50/16;H01H50/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京市100*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | MEMS电磁继电器,属于继电器技术和MEMS技术领域。为解决现有微电磁继电器体积大、功耗高,不能适用微型自动检测仪器及微型航空航天器对小体积、智能化、低功耗电磁继电器的需求,本发明公开了一种MEMS电磁继电器,采用三层结构,自上而下依次是上层硅基底、下层硅基底、永磁体;上层硅基底中空,中间通过两个扭梁支撑一个扭板形成扭摆结构,扭板最下层是活动接触电极;下层硅基底表面的凹槽中设有两个平面螺旋线圈,在两个平面螺旋线圈之上覆盖有绝缘层,绝缘层上设有两对固定接触电极,每对固定接触电极含有两个相互间隔的独立的固定接触电极。本发明可以大规模阵列,并且可以与控制电路集成在同一基底上。 | ||
搜索关键词: | mems 电磁 继电器 | ||
【主权项】:
1.MEMS电磁继电器,其特征在于:所述继电器采用三层结构,自上而下依次是上层硅基底、下层硅基底、永磁体;所述上层硅基底和下层硅基底两部分键合,所述永磁体接合在所述下层硅基底下方;所述上层硅基底中空,中间通过两个扭梁支撑一个扭板形成扭摆结构;所述扭板为多层结构,其中面对下层硅基底的一层是活动接触电极;所述下层硅基底表面的凹槽中设有两个平面螺旋线圈,在所述两个平面螺旋线圈之上覆盖有绝缘层,绝缘层上设有两对固定接触电极,每对固定接触电极含有两个相互间隔的独立的固定接触电极;所述两对固定接触电极分别设在所述扭梁的中心轴线在所述绝缘层上的垂直投影两侧;所述活动接触电极总是与一对固定接触电极保持稳定接触,即两对固定接触电极总是保持一对导通、另外一对断开的状态。
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