[发明专利]一种用于以物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备有效
| 申请号： | 200710119163.1 | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101144179A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吴晟 | 申请（专利权）人： | 吴晟 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于物理气相传输法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。由于本发明的单晶生长设备中采用了工业陶瓷制作的真空生长室，使真空生长室的机械强度高、不易碎裂，也没有石英玻璃管微晶化的问题，单晶生长设备可以可靠地在高温环境下工作，且价格低，降低了设备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 物理 相传 沉淀 生长 单晶用 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于物理气相传输沉淀法生长单晶用的单晶生长设备，包括管状的真空生长室，高频或中频电源、真空系统、气压控制系统，放置单晶原料粉末以及被生长的原始单晶体的石墨坩埚、感应加热线圈、密封真空生长室上、下端口的法兰盘，其特征在于，所述管状的真空生长室由陶瓷材料制成。
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