[发明专利]一种低温合成镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及制备方法无效
| 申请号： | 200710118907.8 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101066868A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张波萍;徐婕慧;赵培 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种低温合成的镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，属于功能陶瓷环境友好型材料领域。组成为(NaaKbLic)NbO3+xMgO，其中，a、b、c、x分别表示Na、K、Li、Mg组成元素的摩尔分数，数值的范围是：0.20≤a≤0.80，0.20≤b≤0.80，0.00＜c≤0.30，0.00＜x≤0.30。其制备方法包括原料混合、焙烧、成型、烧结、被银、极化等工艺步骤。本发明的优点在于：通过以MgO、MgCO3或碱式碳酸镁为添加原料有效地降低了铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷的烧结温度，在800－1040℃的低温范围内合成了性能优良的陶瓷样品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 合成 掺杂 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低温合成的镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：材料组成通式为(NaaKbLic)NbO3+xMgO，其中a、b、c、x分别表示Na、K、Li、Mg组成元素的摩尔分数，数值的范围是：0.20≤a≤0.80，0.20≤b≤0.80，0.00＜c≤0.30，0.00＜x≤0.30；掺杂镁元素分别以MgO、MgCO3或碱式碳酸镁为原料加入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710118907.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
