[发明专利]一种氮硅共熔合金及其制造方法和用途有效
| 申请号： | 200710118516.6 | 申请日： | 2007-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101338449A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 戴小林;韩海健;吴志强;崔彬 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氮硅共熔合金及其制造方法和用途。氮硅共熔合金中总氮浓度为1E16－7E18原子/立方厘米。该氮硅共熔合金用于直拉单晶制备工艺中的氮的掺杂，在直拉(切克劳斯基法)制造的硅单晶生长方法中，适量氮的加入既不影响长成单晶体，也可以控制晶体中一种称为“COP”或“voids”缺陷的浓度和大小，这种缺陷是影响集成电路功能的一种主要原因，采用氮硅共熔合金掺杂可使掺杂稳定，缩短熔化时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮硅共 熔合 及其 制造 方法 用途 | ||
【主权项】：
1、一种氮硅共熔合金，其特征在于：所述的氮硅共熔合金中总氮浓度为1E16-7E18原子/立方厘米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司，未经北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710118516.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
