[发明专利]一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法

摘要

一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法，在GaAs衬底上生长发光二极管外延片由第一导电型接触电极、第一导电型欧姆接触层、第一导电型电流扩展层、第一导电型下限制层、非掺杂的有源区、第二导电型上限制层、第二导电型电流扩展层、第二导电型欧姆接触层堆叠而成；外延片中设有反光镜，反光镜依次由介质层，金属层和阻挡层层层积淀形成；永久性衬底是由基板衬底上是生长粘贴层、金属焊料层积淀在粘贴层上；金属电极淀积在永久性衬底底部；外延片以倒装方式叠置于基板衬底上并在真空下键合。在外延片中形成一种倒梯形结构，解决常规矩形结构中光的波导效应带来的光损失问题，并可大大提升取光效率。

主权项

1.一种倒梯形微结构高亮度发光二极管，其特征在于：在GaAs衬底上生长发光二极管外延片(300)，其由第一导电型欧姆接触电极(505)、第一导电型欧姆接触层(304)、第一导电型电流扩展层(305)、第一导电型下限制层(306)、非掺杂的有源区(307)、第二导电型上限制层(308)、第二导电型电流扩展层(309)、第二导电型欧姆接触层(310)堆叠而成；外延片(300)中设有反光镜，反光镜依次由介质层(501)，金属层(502)和阻挡层(503)层层积淀形成；永久性衬底(400)是由基板衬底(401)上是生长粘贴层(402)、金属焊料层(403)积淀在粘贴层(402)上；金属电极(504)淀积在永久性衬底(400)底部；外延片(300)以倒装方式叠置于基板衬底(401)上，并在真空下键合。