[发明专利]印刷式自对准上闸极薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200710111941.2 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101101878A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 乔格·洛肯贝尔格;姆斯·蒙太古·科伦拜恩;阿尔温德·卡马斯 | 申请（专利权）人： | 高菲欧股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 美国加州森尼*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露一种自对准上闸极薄膜晶体管以及形成该晶体管的方法。首先形成半导体薄膜层；接着，将掺杂的玻璃图案打印于半导体薄膜层上，掺杂的玻璃图案中的间隙定义薄膜晶体管的沟道区域；接着，将闸电极形成于沟道区域上或上方，闸电极包含闸极介电薄膜以及位于闸极介电薄膜上的闸极导体；以及将掺杂物从掺杂的玻璃图案扩散至半导体薄膜层内。 | ||
| 搜索关键词： | 印刷 对准 上闸极 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种形成薄膜晶体管的方法，其特征在于，包含下列步骤：形成一半导体薄膜层；将一掺杂的玻璃图案印于该半导体薄膜层上，所述掺杂的玻璃图案中的一间隙定义所述薄膜晶体管的一沟道区域；将一闸电极形成于所述沟道区域上或上方，所述闸电极包含一闸极介电薄膜以及位于所述闸极介电薄膜上的一闸极导体；以及将一掺杂物从所述掺杂的玻璃图案扩散至所述半导体薄膜层内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
