[发明专利]一种二阶段背式刻蚀的方法无效
| 申请号： | 200710109413.3 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329991A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王彦鹏 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种二阶段背式刻蚀的方法，该方法包括：先提供已具有数层硬罩幕层的基板。接着，第一次背刻蚀基板背面与侧边，以移除基板背面与侧边的部分硬罩幕层。而后，依序图案化硬罩幕层与基板，以在基板内形成数个沟渠。最后，在进行一湿槽清洗步骤之前，第二次背刻蚀基板侧边，以移除位于基板侧边的针状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶段 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二阶段背式刻蚀的方法，其特征在于，该方法至少包含：提供一基板，该基板具有多个硬罩幕层；第一次背刻蚀该基板的背面与侧边，以移除位于该基板背面与侧边的该硬罩幕层；依序图案化该硬罩幕层与该基板，以在该基板内形成多个沟渠；在进行一湿槽清洗步骤之前，第二次背刻蚀该基板侧边，以移除位于该基板侧边的多个针状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
