[发明专利]具有L型电极的电阻式随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 200710104549.5 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101090147A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;何家骅;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适合用于大型集成电路中的相变随机存取存储器元件。示例性存储器元件具有管型第一电极，从侧壁支持结构的侧壁上的第一电极层中形成。隔离层绝缘装置从第一氧化层中形成，第二“L”型电极在该绝缘装置上形成。电接点连接至该第二电极的水平部分。存储器材料的桥从该第一电极的上表面延伸至该第二电极的上表面，横跨该隔离层绝缘装置的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 电阻 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
1、一种存储器元件，其包含：侧壁支持结构，具有侧壁；第一电极，具有第一电极长度，包括沉积在所述侧壁支持结构的侧壁上的第一电极层；侧壁隔离层绝缘装置，具有侧壁隔离层绝缘装置长度，包括沉积在所述第一电极上的部分第一隔离层；第二电极，具有第二电极长度，包括沉积在所述第一隔离层上的第二隔离层，并且具有从所述第二隔离层延伸出的水平部分；桥，具有桥宽度，所述桥从所述第一电极的上表面延伸至所述第二电极的上表面，并且横跨所述侧壁绝缘装置的上表面，其中，所述桥包含存储器材料；以及导体，连接至所述第二电极的水平部分，并且垂直延伸至所述桥上的层结构。
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