[发明专利]具有缩减活性面积及接触面积的电阻式随机存取存储单元有效
| 申请号： | 200710104548.0 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101083298A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;何家骅;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器件，有一侧壁绝缘装置，其具有与第一侧壁隔离层厚度相同的侧壁绝缘装置长度；形成自第二侧壁隔离层的第一电极，其具有与第二侧壁隔离层厚度相同的第一电极长度，以及形成自该第二侧壁隔离层的第二电极，其具有与该第二侧壁隔离层厚度相同的第二电极长度，被形成于该侧壁绝缘装置的侧壁上；存储器材料的导桥，其具有导桥宽度，自该第一电极的上表面延伸至该第二电极的上表面，横跨该侧壁绝缘装置的上表面，其中该导桥包含存储器材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缩减 活性 面积 接触 电阻 随机存取 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其包含：侧壁绝缘装置，具有依据第一侧壁隔离层厚度定义的侧壁绝缘装置长度；自第二侧壁隔离层形成的第一电极，该第一电极具有依据第二侧壁隔离层厚度定义的第一电极长度；自该第二侧壁隔离层形成的第二电极，该第二电极具有依据该第二侧壁隔离层厚度的第二电极长度；以及导桥，该导桥自该第一电极的上表面延伸至该第二电极的上表面，横越该侧壁绝缘装置的上表面，其中该导桥包含存储器材料。
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