[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710104108.5 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101086961A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李斗烈;李昔柱;姜律;赵汉九;姜昌珍;柳在玉;朴省赞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄中间材料层薄膜，以形成中间材料层，形成露出中间材料层的第二部分的第二掩模图形，除去中间材料层的露出第二部分，以露出该目标层，以及使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括：在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄该中间材料层薄膜，以形成中间材料层；形成露出该中间材料层的第二部分的第二掩模图形；除去该中间材料层的露出的第二部分，以露出该目标层；以及使用该第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
