[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；

形成中间材料层，包括：

在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及

减薄该中间材料层薄膜，以形成中间材料层；

形成露出该中间材料层的第二部分的第二掩模图形；

除去该中间材料层的露出的第二部分，以露出该目标层；以及

使用该第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图目标层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该第一和第二掩模图形是光刻胶图形。

3.如权利要求1所述的方法，其中该第一和第二掩模图形包括硅。

4.如权利要求1所述的方法，其中该中间材料层包括无机材料。

5.如权利要求4所述的方法，其中该无机材料层包括氧化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其中该中间材料层包括不定形碳。

7.如权利要求1所述的方法，其中在中间材料层上形成第二掩模图形包括：

形成覆盖中间材料层的上部和覆盖中间材料层的掩模层，该中间材料层覆盖所述第一部分；以及

减薄该掩模层，以露出中间材料层的上部。

8.如权利要求1所述的方法，还包括在目标层和第一掩模图形之间形成抗反射层。

9.如权利要求8所述的方法，其中该抗反射层包括有机材料。

10.如权利要求1所述的方法，其中该目标层包括无机硬掩模。

11.一种形成半导体器件的方法，包括：

在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；

形成中间材料图形；

形成露出部分中间材料图形的第二掩模图形；

除去中间材料图形的露出部分，以露出该目标层的第二部分；以及

使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层；以及

其中形成该中间材料图形包括：

在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料，以及

减薄该中间材料，以形成中间材料图形。

12.如权利要求11所述的方法，其中该第一和第二掩模图形包括光刻胶图形。

13.如权利要求11所述的方法，其中该第一和第二掩模图形包括硅。

14.如权利要求11所述的方法，其中形成中间材料图形被重复不止一个周期。

15.如权利要求14所述的方法，其中形成该中间材料图形包括有选择地淀积和减薄所述中间材料的等离子体工序。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述中间材料包括CF-基聚合物。

17.如权利要求11所述的方法，其中形成第二掩模图形包括：

形成覆盖第一掩模图形和中间材料图形的上部的掩模层；以及

减薄该掩模层，以便中间材料图形的上部被露出。

18.如权利要求11所述的方法，其中除去该中间材料图形的露出部分包括等离子体工序。

19.如权利要求11所述的方法，还包括在目标层和第一掩模图形之间形成抗反射层。

20.如权利要求11所述的方法，其中该目标层包括无机硬掩模。