[发明专利]具渐变式超晶格结构的太阳电池

摘要

本发明公开了一种太阳电池，包括多个堆叠式pn结结构及多个穿隧接面层，其中穿隧接面层是位于堆叠式pn结结构之间。而且，在堆叠式pn结结构中有一个堆叠式pn结结构至少包括一层p型半导体层、一层n型半导体层以及位于p型与n型半导体层之间的一层渐变式超晶格结构。这层渐变式超晶格结构的能隙是介于磷化铟镓(InGaP)的能隙和砷化镓(GaAs)的能隙之间。因此能将波长响应范围提高至1.0eV，以增加波长响应频谱，并且因为渐变式超晶格结构，此区域载流子所碰到的势垒较小并容易跨越势垒，故可增加效率。

主权项

1.一种太阳电池，包括：底部电池，位于基板上；中间电池，在该底部电池上，其中该中间电池包括依序堆叠的背面电场、基极、渐变式超晶格结构、射极以及透光层；顶部电池，在该中间电池上，其中该顶部电池包括依序堆叠的背面电场、基极、射极以及透光层；至少二层穿隧接面层，分别位在该底部电池与该中间电池之间以及在该中间电池与该顶部电池之间；底部接触层，在该底部电池下；以及顶部接触层，在该顶部电池上；抗反射层，在未被该顶部接触层覆盖的该顶部电池上。