[发明专利]高压无线射频功率元件

摘要

一种高压无线射频功率元件，包括多个串接的晶体管，其包括一栅极，设于一基底上；一栅极介电层，设于该栅极与该基底间；一漏极结构，设于该栅极的一侧，其包括一N⁺掺杂区、一浅沟渠绝缘结构以及一N^－离子井，其中该浅沟渠绝缘结构包围该N⁺掺杂区，该N^－离子井位于该N⁺掺杂区与该浅沟渠绝缘结构正下方；以及一N⁺源极掺杂区，设于该栅极的另一侧。

主权项

1.一种高压无线射频功率元件，包括有：第一晶体管，包括有：第一栅极，设于半导体基底表面上；第一栅极介电层，设于该第一栅极与该半导体基底间；第一漏极结构，包括第一N+掺杂区、第一浅沟渠绝缘结构以及第一N-离子井，其中该第一浅沟渠绝缘结构包围该第一N+掺杂区，该第一N- 离子井位于该第一N+掺杂区与该第一浅沟渠绝缘结构正下方；第一N+源极掺杂区；第二晶体管，串接至第一晶体管，该第二晶体管包括有：第二栅极，设于半导体基底表面上；第二栅极介电层，设于该第二栅极与该半导体基底间；第二漏极结构，包括第二N+掺杂区、第二浅沟渠绝缘结构以及第二N-离子井，其中该第二浅沟渠绝缘结构包围该第二N+掺杂区，该第二N- 离子井位于该第二N+掺杂区与该第二浅沟渠绝缘结构正下方；以及第二N+源极掺杂区；其中，该第一栅极与该第二栅极电连接至相同的栅极电压信号，该第一N+掺杂区与该第二N+掺杂区电连接至相同的漏极电压信号，该第一N+ 源极掺杂区与该第二N+源极掺杂区电连接至相同的源极电压信号。