[发明专利]用于确定辐射强度的方法、装置和系统无效
| 申请号： | 200710102114.7 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101097970A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杰克·A.·曼德尔曼;瓦格迪·W.·阿巴迪尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L27/144 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及用于确定辐射强度的方法、装置和系统。在第一方面中，提供了确定辐射强度的第一方法。该第一方法包括以下步骤：(1)提供具有(a)硅台；以及(b)沿该硅台的至少三个侧壁的光栅导体材料的半导体器件；(2)在该硅台中形成耗尽区；以及(3)响应于入射半导体器件的辐射，在该半导体器件中产生信号，该信号具有与该辐射强度相关的强度。提供了大量其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 辐射强度 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
1.一种确定辐射强度的方法，包括：提供半导体器件，其具有：硅台；以及沿该硅台的至少三个侧壁的光栅导体材料；在该硅台中形成耗尽区；以及响应于入射该半导体器件的辐射，在该半导体器件中产生信号，该信号具有与该辐射强度相关的强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
