[发明专利]一种薄膜晶体管充电沟道结构无效
| 申请号： | 200710099777.8 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315950A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李欣欣;王威;龙春平 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管充电沟道结构，包括：源极、漏极和沟道区；源极连接有一源极扩展区；漏极连接有一漏极扩展区；源极扩展区和漏极扩展区相对设置，形成一扩展沟道区。其中源极扩展区和漏极扩展区均处于栅极扫描线或栅电极、和半导体层之上，并与之交叠；源极及沟道区呈U型结构；扩展沟道区呈一字形状、锯齿状或波纹状。本发明通过扩展沟道区来增大沟道的宽长比(W/L)以达到增大TFT像素区的充电电流大小的目的，从而能够有效地避免亮点，灰度不均匀等现实不良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 充电 沟道 结构 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管充电沟道结构，包括：源极、漏极和沟道区，其特征在于：所述源极连接有一源极扩展区，所述漏极连接有一漏极扩展区，源极扩展区和漏极扩展区相对设置，形成一扩展沟道区。
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