[发明专利]用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法有效
| 申请号： | 200710096369.7 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101060086A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | D·奇丹巴尔拉奥;B·J·格林;J·J·埃利斯－莫纳甘 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于制造晶体管结构的结构和方法。该方法包括如下步骤：(a)提供衬底，所述衬底包括通过掩埋介质层与所述衬底的体区域分离的绝缘体上半导体(“SOI”)层；(b)第一注入所述SOI层，以在所述SOI层与所述掩埋介质层的界面处获得预定掺杂剂浓度；以及(c)第二注入所述SOI层，以在多晶半导体栅极导体(“多晶栅极”)和邻近所述多晶栅极设置的源极和漏极区域中获得预定掺杂剂浓度，其中所述第一注入的最大深度大于所述第二注入的最大深度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 绝缘体 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶体管结构的方法，包括如下步骤：(a)提供衬底，所述衬底包括通过掩埋介质层与所述衬底的体区域分离的绝缘体上半导体(“SOI”)层；(b)第一注入所述SOI层，以在所述SOI层与所述掩埋介质层的界面处获得预定掺杂剂浓度；以及(c)第二注入所述SOI层，以在多晶半导体栅极导体(“多晶栅极”)和邻近所述多晶栅极设置的源极和漏极区域中获得预定掺杂剂浓度，其中所述第一注入的最大深度大于所述第二注入的最大深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
