[发明专利]DRAM单元晶体管器件和方法

摘要

一种DRAM单元晶体管器件及其形成方法。所述方法是在注入阈值电压以前提供覆盖衬底表面区域的保护层。所述方法然后包括沉积光刻胶层和图案化所述光刻胶，所述图案化所述光刻胶是通过选择性地除去一部分所述光刻胶以暴露覆盖第一区域的所述保护层同时保留覆盖第二区域的光刻胶。所述方法包括将用于调节阈值电压的杂质注入所述第一区域，同时所述第二区域基本上没有所述用于调节阈值电压的杂质。所述方法还包括形成源极区和漏极区。所述方法还包括在所述源极区上提供导电结构。所述导电结构与源极区之间的结基本上在第二区域之内。所述方法然后提供通过导电结构与所述源极区电接触的存储电容器。

主权项

1. 一种形成存储器件的方法，所述方法包括：提供包含表面区域的衬底；在所述衬底之内形成阱结构；在所述阱结构之内形成隔离区；提供覆盖在所述阱结构上延伸的所述表面区域的保护层；沉积覆盖所述保护层的光刻胶层；通过选择性地除去一部分光刻胶以暴露覆盖第一区域的所述保护层同时保留覆盖第二区域的所述光刻胶来图案化所述光刻胶；使用所述图案化的光刻胶作为掩模，将用于调节阈值电压的杂质注入所述第一区域；保持所述第二区域基本上没有所述用于调节阈值电压的杂质；除去所述光刻胶掩模；提供覆盖所述表面区域的栅极介电层；在所述栅极介电层上形成栅极叠层，所述栅极叠层包括覆盖多晶硅层的硅化物层；使用所述栅极叠层作为掩模将杂质注入所述衬底，以形成轻度掺杂的漏极(LDD)结构；在所述栅极叠层的侧面上提供间隔物；形成源极区和漏极区；在所述源极区上提供接触结构，所述接触结构与所述源极区之间的结区基本上在第二区域之内；和提供电荷储存电容器，所述电容器通过所述接触结构与所述源极区电接触。