[发明专利]单源多漏的MOS器件有效
| 申请号： | 200710094395.6 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452936A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 董科;张博;徐云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 平 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单源多漏的MOS器件，所述MOS器件包括源极、栅极和漏极，所述源极在衬底上的投影为多边形，所述栅极包围在源极四周且所述栅极外围在衬底上的投影为多边形，所述漏极有多个且各自独立，所述漏极分布在栅极四周。本发明单源多漏的MOS器件可以在各类存储器电路中实现具有相同源极和栅极的多个MOS晶体管，使不同MOS晶体管的源极和栅极实现共享，与传统MOS器件相比有效节省了存储器面积。 | ||
| 搜索关键词： | 单源多漏 mos 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种单源多漏的MOS器件，所述MOS器件包括源极、栅极和漏极，其特征是：所述源极在衬底上的投影为多边形，所述栅极包围在源极四周且所述栅极外围在衬底上的投影为多边形，所述漏极有多个且各自独立，所述漏极分布在栅极四周。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
