[发明专利]LED芯片表面粗糙度的识别和分类方法有效
| 申请号： | 200710093913.2 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101335226A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 姜森来;梁国荣;李智武 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片表面粗糙度的识别和分类方法，该方法包括以下步骤：(1)将LED芯片放入所述显微镜下观察到所述LED芯片的P电极区域和N电极区域，并拍显微镜像；(2)利用所述灰度识别系统对所述显微镜像中所述LED芯片的P电极区域和N电极区域进行灰度识别，并输出灰度值；(3)将所测的LED芯片分成四类；(4)在需要进行显微镜下的操作时，将按步骤(3)分类后的相同类别的LED芯片，作为同一批次进行流水作业。按照本发明的方法分类出的LED芯片在进行自动显微镜下作业时，可以很顺畅准确的被识别出来，适用于表面粗糙度不同的LED芯片的分类。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 表面 粗糙 识别 分类 方法 | ||
【主权项】：
1、一种LED芯片表面粗糙度的识别和分类方法，该方法包括一带摄像功能的显微镜和灰度识别系统，其特征在于，它包括以下步骤：(1)将LED芯片放入所述显微镜下观察到所述LED芯片的P电极区域和N电极区域，并拍显微镜像；(2)利用所述灰度识别系统对所述显微镜像中所述LED芯片的P电极区域和N电极区域进行灰度识别，并输出灰度值；(3)将所测的LED芯片按下述标准分成四类：第一类，LED芯片的N电极区域和P电极区域灰度值大于90；第二类，LED芯片的N电极区域和P电极区域灰度值小于70；第三类，LED芯片的N电极区域灰度值小于70，而P电极区域灰度值大于90；第四类，LED芯片的N电极区域灰度值大于90，而P电极区域灰度值小于70；(4)在需要进行自动化的显微镜下的操作时，将按步骤(3)分类后的相同类别的LED芯片，作为同一批次进行流水作业。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
