[发明专利]三维微结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200710093280.5 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101274734A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | W·D·霍克;D·W·舍利尔 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了三维微结构及其形成方法。该微结构通过一顺序构造工艺形成，并包括相互固定的微结构元件。例如，该微结构在用于电磁能的同轴传输线中获得了应用。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 微结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种三维微结构，其通过一顺序构造工艺形成，所述三维微结构包含：一第一微结构元件，其包含一介电材料并具有一至少部分贯穿而延伸的孔；一第二微结构元件，其包含一金属材料；在该孔中的一金属材料，其将该第一微结构元件固定在该第二微结构元件上；以及一非固体空间，该第一微结构元件和/或该第二微结构元件暴露于该非固体空间。
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