[发明专利]复合半导体器件、LED头、和图像形成装置有效
申请号: | 200710089710.6 | 申请日: | 2007-03-27 |
公开(公告)号: | CN101047174A | 公开(公告)日: | 2007-10-03 |
发明(设计)人: | 荻原光彦;藤原博之;武藤昌孝;鹭森友彦;猪狩友希 | 申请(专利权)人: | 冲数据株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/02;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/16;G03G15/00;B41J2/435 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及复合半导体器件、LED头、和图像形成装置。复合半导体器件(100,200,600,650,700,800,900)包括衬底(101)、多个电路、半导体薄膜层(300,400,550,661)、和虚设图案。在该衬底上形成电路,并且这些电路包括一个或多个布线层(230)。半导体薄膜层包括半导体元件并且被设置在该一个或多个层的最高表面上。虚设图案(232)形成在没有该一个或多个布线层的区域中。旋涂层(220)形成在半导体薄膜层和布线层(230)之间。旋涂层(220)可以由有机材料或氧化物材料形成。 | ||
搜索关键词: | 复合 半导体器件 led 图像 形成 装置 | ||
【主权项】:
1.一种复合半导体器件(100,200,600,650,700,800,900),包括:衬底(101);形成在所述衬底上的多个电路,所述电路包括一个或多个布线层(230);包括半导体器件元件并且被设置在该一个或多个布线层的最高表面上的半导体薄膜层(300,400,550,661);和在每个布线层中在没有形成布线图案的区域中形成虚设图案(232);以及所述虚设图案没有连接到该电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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