[发明专利]光电动势元件、具有其的光电动势模块和制造方法有效
| 申请号： | 200710089105.9 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101038939A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 中岛武;丸山英治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明可以得到能提高耐侯性的光电动势元件。此光电动势元件，包括：光电转换层；第一透明导电膜，它在光电转换层的光入射侧的表面上形成，具有(222)取向、并且包括有两个X射线衍射峰的第一氧化铟层；第二透明导电膜，它在光电转换层的与光入射侧相反一侧的表面上形成，具有(222)取向、并且包括有一个X射线衍射峰的第二氧化铟层。 | ||
| 搜索关键词： | 电动势 元件 具有 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电动势元件，其特征在于，包括：光电转换层；第一透明导电膜，在所述光电转换层的光入射侧的表面上形成，具有(222)取向、并且包括具有两个X射线衍射峰的第一氧化铟层；以及第二透明导电膜，在所述光电转换层的与光入射侧相反一侧的表面上形成，具有(222)取向、并且包括具有一个X射线衍射峰的第二氧化铟层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
