[发明专利]在非易失性存储器中存储多位的位符号识别方法和结构无效
| 申请号： | 200710088553.7 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101055763A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 王立中 | 申请（专利权）人： | 弗拉什西利康股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C16/30;G11C16/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 史新宏;邵亚丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过将非易失性存储器的阈电压编程到对应于多位字的特定阈电平，可以将由多位字表示的信息存储在单个非易失性存储单元中。所存储或生成的多位字被扫描并转换成要施加到该非易失性存储单元的栅极电压，直到来自非易失性存储单元的电响应指示被施加到栅极的、由该特定多位字生成的电压匹配存储在该非易失性存储单元中的信息。匹配的多位字被读出存储器，并且表示该单个非易失性存储单元中存储的位。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 存储 符号 识别 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器结构，包括：MOSFET，包括存储层，用于存储表示N个不同多位字的任一个的电荷，其中N是选择的大于1的整数，和控制栅极；所述顺序的N个多位字的源，所述N个多位字以数字形式表示N个不同电压电平；数字模拟转换器，用于从所述源依次接收所述N个多位字，并且向所述控制栅极提供对应于所述N个多位字的N个不同电压电平；用于接收所述N个多位字的输出缓冲器；输出导线，用于承载表示所述MOSFET的状态的信号；和控制电路，响应于表示所述MOSFET状态的所述信号的改变，向所述输出缓冲器提供信号，使得所述输出缓冲器输出与由在所述MOSFET的存储层上存储的电荷表示的多位字的值对应的信号。
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