[发明专利]等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质有效
| 申请号： | 200710088379.6 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101038872A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吉田亮一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够确保由SiC系膜构成的蚀刻终止层相对于Low－k膜的蚀刻选择性，并且能够在防止底切的同时进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。是对于在基板上依次形成有配线层、由SiC系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数(Low－k)膜及蚀刻掩模的结构体，在等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后，对蚀刻阻挡膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，将等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后的所述结构体设置在上下相对设置有第一电极及第二电极的处理容器内，向处理容器内导入包含NF3的处理气体，向第一电极及第二电极中的任一个施加高频电力、生成等离子体，向任意的电极施加直流电压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 计算机 读取 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：是对于在基板上依次形成有配线层、由SiC系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数(Low-k)膜及蚀刻掩模的结构体，在等离子体蚀刻所述低介电常数(Low-k)膜之后，对蚀刻阻挡膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，包括：将等离子体蚀刻所述低介电常数(Low-k)膜之后的所述结构体设置在上下相对设置有第一电极及第二电极的处理容器内的工序；向所述处理容器内导入包含NF3的处理气体的工序；向所述第一电极及第二电极中的任一个施加高频电力、生成等离子体的工序；以及向所述任意的电极施加直流电压的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
