[发明专利]等离子体处理装置和方法以及聚焦环有效
| 申请号： | 200710088375.8 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101038849A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 舆石公 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/00 | 分类号： | H01J37/00;H01J37/32;H05H1/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板(W)载置在配置于处理腔室(10)内的载置台(11)上，通过施加高频电压，使处理腔室(10)内产生等离子体，对被处理基板(W)进行处理时，在载置台(11)上载置的被处理基板(W)的周边部下方，形成使由等离子体生成的离子向被处理基板(W)的周边部下面加速的电场，由此使离子与被处理基板(W)的周边部下面碰撞，从而减少沉积物的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 以及 聚焦 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，使被处理基板载置在配置于处理腔室内的载置台上，通过施加高频电压，使处理腔室内产生等离子体，对被处理基板进行处理，其特征在于：包括以包围所述载置台上载置的被处理基板的周围的方式配置的聚焦环，所述聚焦环具有：配置在所述载置台上载置的被处理基板的周围外侧的、由导电性材料构成的外侧环部；以及在所述载置台上载置的被处理基板的周边部下方，隔开规定间隔配置的、由导电性材料构成的内侧环部，所述内侧环部与所述载置台之间电绝缘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088375.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用组、堆栈、和版本集显示数字图像
- 下一篇：电灯
