[发明专利]具有减小的且可调的导通电阻的补偿元件无效
| 申请号： | 200710087979.0 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101022125A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | A·威尔默罗思;H·卡佩尔斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;魏军 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种补偿元件，其中漂移区(2)内的补偿区域(5)以V状形式被配置，以便从而实现空间电荷区(9)从补偿区域(5)的上端到下端的会聚。因而使阶跃电容曲线平滑。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 可调 通电 补偿 元件 | ||
【主权项】：
1、包括第一导电型的半导体本体(1，2)的直立补偿元件，其中与第一导电型相对的第二导电型的邻接第一电极(G，S)的本体区(3)、和第一导电型的漂移区(2)在至少一个第一电极(G，S)和第二电极(D)之间延伸，所述第一电极被设置在具有第一导电型的第一区域(4)的半导体本体的第一主表面(7)上，所述第二电极以距所述第一电极(G，S)的距离被设置在相对于第一主表面(7)的、具有第二区(1)的半导体本体的第二主表面(12)上，所述漂移区位于本体区(3)和第二区(1)之间并且与第一和第二区(4，1)相比较弱地被掺杂，第二导电型的至少一个补偿区域(5)在漂移区(2)中位于本体区(3)之下，所述补偿区域以柱状形式连续地被配置并且以平行于连接方向的其纵向方向在第一和第二电极之间延伸，其中补偿区域(5)在朝向第二电极的方向上具有锥形横截面。
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