[发明专利]氧化锡铟靶,其制备方法和用其制备的透明电极有效
| 申请号： | 200710087153.4 | 申请日： | 2007-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN101231431A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 郑俊熙;崔畯皓;李相彻;姜信赫 | 申请（专利权）人： | 三星康宁株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;C23C14/08;C03C17/23 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供包含相对铟原子约0.001原子％至约10原子％的钙的氧化锡铟(ITO)靶，和由ITO靶制备的显示器用ITO透明电极。一种制备所述ITO靶的方法，所述方法包括：通过将氧化铟粉末、氧化锡粉末和含钙化合物粉末混合制备淤浆；通过研磨并且干燥所述淤浆，将所述淤浆粒化以制备粒化粉末；使所述粒化粉末成形以形成成形体；和将所述成形体烧结。通过所述方法制备的含钙ITO靶可以减少在溅射过程中产生的结节数量和电弧次数，从而生长出能够长时间使用的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 锡铟靶 制备 方法 透明 电极 | ||
【主权项】：
1.一种制备氧化锡铟(ITO)靶的方法，所述方法包括：通过将氧化铟粉末、氧化锡粉末和含钙化合物粉末混合制备淤浆；通过研磨和干燥所述淤浆，将所述淤浆粒化以制备粒化粉末；使所述粒化粉末成形以形成成形体；和将所述成形体烧结。
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