[发明专利]制造快闪存储器件的方法无效
| 申请号： | 200710084450.3 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101030559A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 朴仙美;全裕男;金南经;金世埈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造快闪存储器件的方法，包括蚀刻在基板上方设置的绝缘层以形成接触孔从而定义暴露在该基板上形成的结区域的接触孔。以第一导电材料填充该接触孔，该第一导电材料接触该结区域且延伸于该接触孔的上表面上方。蚀刻该第一导电材料以部分填充该接触孔，从而该第一导电材料填充该接触孔的下部分，其中该接触孔的上部分因该第一导电材料的蚀刻而保持未被填充，其中所述被蚀刻的第一导电材料定义接触塞。在该接触塞上方形成第一电介质层和第二电介质层，藉以填充该接触孔的上部分。蚀刻该第一和第二电介质层的一部分以暴露该接触塞和该接触孔的上部分。在该接触塞上形成第二导电材料且填充该接触孔的上部分来形成位线。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造快闪存储器件的方法，包括：形成绝缘层于半导体基板上方，该半导体基板中定义结区域；蚀刻该绝缘层的一部分以形成暴露该结区域的接触孔；以第一导电材料填充该接触孔，该第一导电材料接触该结区域且延伸于该接触孔的上表面之上；蚀刻该第一导电材料以部分填充该接触孔，从而该第一导电材料填充该接触孔的下部分，其中该接触孔的上部分保持未被填充，其中被蚀刻的第一导电材料定义接触塞；形成氮化物层和氧化物层于该接触塞上方且填充该接触孔的上部分，该氮化物层设置在该氧化物层下方；蚀刻该氮化物层和该氧化物层的一部分以暴露该接触塞和该接触孔的上部分；以及形成第二导电材料于该接触塞上且填充该接触孔的上部分以形成位线，该位线至少部分地延伸至该接触孔的上部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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