[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200710080049.2 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101034671A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 游步东;马可·A·苏尼加 | 申请（专利权）人： | 沃特拉半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在衬底上使用兼容于所述CMOS工艺流程的工艺流程而单片地制造具有源极、漏极和栅极的横向双扩散MOSFET(LDMOS)晶体管的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在衬底上制造具有源极区域、漏极区域和栅极区域的晶体管的方法，包括：在所述衬底的表面注入高电压n-掺杂的n-阱；在所述晶体管的源极区域和漏极区域之间形成栅极氧化物；使用导电材料覆盖所述栅极氧化物；在所述晶体管的所述源极区域注入p-掺杂的p-主体；仅在所述晶体管的所述源极区域注入n-掺杂的轻度掺杂源极；在所述晶体管的所述源极区域注入第一n-掺杂的n+区域，该第一n-掺杂的n+区域与部分所述n-掺杂的轻度掺杂源极重叠；在所述晶体管的所述漏极区域注入第二n-掺杂的n+区域；以及在所述晶体管的所述源极区域注入p-掺杂的p+区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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