[发明专利]一种SRAM中数据的读写方法及装置有效
| 申请号： | 200710076827.0 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101377952A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 何邦君;杨云;冯卫 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G09G3/30 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518119广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于集成电路领域，提供了一种SRAM中数据的读写方法及装置，所述方法包括以下步骤：当串行读写脉冲信号有效时，将数据写入SRAM；将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与/或运算，产生并行读脉冲信号；当所述并行读脉冲信号有效且与所述有效的串行读写脉冲信号相位相反时，将所述写入SRAM的数据并行读出。本发明通过采用串行读写与并行读出对电平的时钟有效，从而使串行读写与并行读出无时序冲突，进而保证了数据读写的正确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 数据 读写 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种SRAM中数据的读写方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:当串行读写脉冲信号有效时，将数据写入SRAM；将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与/或运算，产生并行读脉冲信号；当所述并行读脉冲信号有效且与所述串行读写脉冲信号有效时的相位相反时，将所述写入SRAM的数据并行读出。
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