[发明专利]一种SRAM中数据的读写方法及装置有效
申请号: | 200710076827.0 | 申请日: | 2007-08-30 |
公开(公告)号: | CN101377952A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 何邦君;杨云;冯卫 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G09G3/30 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518119广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sram 数据 读写 方法 装置 | ||
1.一种SRAM中数据的读写方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
当串行读写脉冲信号有效时,将数据写入SRAM;
将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与/或运算,产生并行读脉冲信号;其中,若在内部扫描时钟低电平期间进行数据的并行读出,则将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行或运算,若在内部扫描时钟高电平期间进行数据的并行读出,则将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与运算;
当所述并行读脉冲信号有效且与所述串行读写脉冲信号有效时的相位相反时,将所述写入SRAM的数据并行读出。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,当将所述写入SRAM的数据并行读出时,对同一个存储地址连续读两次。
3.一种集成电路,包括SRAM,其特征在于,所述集成电路还包括:
一读写控制电路,接收输入端的串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号,将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与/或运算,产生并行读脉冲信号,当所述并行读脉冲信号有效且与串行读写脉冲有效信号相位相反时,触发写入SRAM的数据并行读出;
当所述读写控制电路为与逻辑门电路并将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与运算时,产生的并行读脉冲信号在内部扫描时钟的高电平期间有效;当所述读写控制电路为或逻辑门电路并将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行或运算时,产生的并行读脉冲信号在内部扫描时钟的低电平期间有效。
4.如权利要求3所述的集成电路,其特征在于,所述集成电路进一步包括:
一计数器,用于对所述并行读脉冲信号计数,控制将数据并行读出时对同一地址连续读两次。
5.一种液晶显示装置,包括一集成电路,所述集成电路包括SRAM,其特征在于,所述集成电路还包括:
一读写控制电路,接收输入端的串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号,将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与/或运算,产生并行读脉冲信号,当所述并行读脉冲信号有效且与串行读写脉冲有效信号相位相反时,触发写入SRAM的数据并行读出;
当所述读写控制电路为与逻辑门电路并将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行与运算时,产生的并行读脉冲信号在内部扫描时钟的高电平期间有效;当所述读写控制电路为或逻辑门电路并将串行读写脉冲信号与内部扫描时钟信号进行或运算时,产生的并行读脉冲信号在内部扫描时钟的低电平期间有效。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于,所述集成电路进一步包括:
一计数器,用于对所述并行读脉冲信号计数,控制将数据并行读出时对同一地址连续读两次。
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