[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200710075055.9 | 申请日： | 2007-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101325219A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 许志杰;颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/02;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，该薄膜晶体管基板包括一基底；一形成在该基底上的栅极；一形成在该栅极和该基底上的栅极绝缘层；一形成在该栅极绝缘层上的非晶硅图案；一形成在该非晶硅图案上的重掺杂非晶硅图案；和形成在该重掺杂非晶硅图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极；其中，该非晶硅图案包括一高电阻部分，其电阻高于该非晶硅图案其它部分的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，其包括一基底、一形成在该基底上的栅极、一形成在该栅极和该基底上的栅极绝缘层、一形成在该栅极绝缘层上的非晶硅图案、一形成在该非晶硅图案上的重掺杂非晶硅图案，和形成在该重掺杂非晶硅图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极，其特征在于：该非晶硅图案包括一高电阻部分，其电阻高于该非晶硅图案其它部分的电阻。
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