[发明专利]氨气调控氮掺杂改性TiO2薄膜的制备方法及高压反应装置无效
申请号: | 200710071931.0 | 申请日: | 2007-03-23 |
公开(公告)号: | CN101026200A | 公开(公告)日: | 2007-08-29 |
发明(设计)人: | 杨玉林;王鑫;吴婷 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/40;H01L21/28;H01L21/208;H01L21/223;H01M14/00;H01G9/20 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 韩末洙 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 氨气调控氮掺杂改性TiO2薄膜的制备方法及高压反应装置,它涉及一种改性TiO2薄膜的制备方法及反应装置。本发明解决了目前改性TiO2薄膜的禁带宽度大小不易控制的问题。方法的步骤如下:一、将反应物混匀;二、水浴加热;三、过滤;四、加入二次蒸馏水;五、水浴加热;六、制得纳米TiO2浆液;七、加入乳化剂研磨;八、涂膜,再烧结,得到TiO2薄膜;九、在高温、高压反应条件下,通入99.99wt%的氨气,反应5min~4h。本发明的套管的上端面与盖的上端面固定连接,套管内延轴向放置有热电偶,连接管的出气口与气压表的进气口连通,连接管的进气口与筒体的出气口连通。本发明的氮掺杂改性TiO2薄膜对可见光电流转化率高,本发明通过控制氨气的加入量来控制TiO2薄膜禁带宽度大小。 | ||
搜索关键词: | 氨气 调控 掺杂 改性 tio sub 薄膜 制备 方法 高压 反应 装置 | ||
【主权项】:
1、一种氨气调控氮掺杂改性TiO2薄膜的制备方法,其特征在于氨气调控氮掺杂改性TiO2薄膜的制备方法步骤如下:一、在室温和以90~120r/min的速度搅拌条件下,将20~50ml钛酸异丙酯滴加到100~200ml浓度为0.08~0.15mol/L HCl或HNO3溶液中混匀,反应30min~2h;二、在50~90℃水浴中,将混合液以90~120r/min的速度搅拌,反应5~10h;三、将经步骤二处理后的反应液过滤;四、向上述滤液中加入二次蒸馏水,使TiO2溶液的重量百分比浓度为2~10%;五、在180~250℃水浴中,将步骤四处理的反应液反应10~15h;六、蒸馏步骤五处理后的反应液,使TiO2溶液的重量百分比浓度为5~15%,得到纳米TiO2浆液;七、向纳米TiO2浆液中加入乳化剂研磨0.5~2h,得到糊状物,其中纳米TiO2浆液与乳化剂的重量比为2~4∶1;八、将步骤七得到的糊状物涂膜,再在300~800℃条件下,在马弗炉中烧结5min~1h,得到TiO2薄膜;九、将TiO2薄膜放在高压反应装置(15)中,在300~500℃温度、0.1~2MPa反应条件下,向反应容器中通入高纯氨气,反应5min~4h,得到氮掺杂改性TiO2薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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